英飞凌公司发布消息，鉴于氮化镓半导体市场需求持续攀升，该公司决定把握这一发展势头，旨在加强其在氮化镓市场领先集成器件制造商（IDM）的地位，并计划涉足氮化镓300mm晶圆代工领域。预计到2025年第四季度，英飞凌将向市场推出首批样品，此举有助于进一步拓展其客户基础。
英飞凌公司全面掌握了氮化镓300mm晶圆代工领域中的三大关键材料，包括硅、碳化硅以及氮化镓。这种GaN半导体因其更高的功率密度、更迅速的开关速度以及更低的功率损耗而备受瞩目，它能够实现更紧凑的设计，进而有效降低智能手机充电器、太阳能逆变器、工业设备以及人形机器人等电子产品的能耗和热量排放。
英飞凌作为率先在现有设施中实现氮化镓300mm晶圆技术突破的半导体企业，其技术相较于现行的200mm晶圆技术更为先进，并且生产效率显著提升。这是因为300mm晶圆的直径更大，每片晶圆可以生产出更多的芯片，其数量是200mm晶圆的两倍还多，具体可达2.3倍。
此外，有消息称台积电（TSMC）计划退出GaN晶圆代工领域，其位于我国台湾新竹的晶圆制造工厂的相关生产线将暂停运作。台积电已对DigiTimes予以确认，并透露经过全面考量，公司决定在未来两年内分阶段退出GaN晶圆代工业务。这一决策是基于市场和公司长远业务战略的考量，目前正与客户保持紧密沟通，力求在过渡期间实现平稳过渡。
据了解，部分厂商选择将订单转向力积电（PSMC）。
